三星开始量产第九代QLC V-NAND闪存芯片

三星已开始量产用于下一代大容量固态硬盘的新型 QLC V-NAND 芯片。该制造商在官方博客中称，其第九代 QLC V-NAND 结合了人工智能时代的"多项突破性技术"，在密度提高、容量增大、速度提升和能耗降低等方面实现了多项改进。

继2024 年 4 月开始生产的第九代 TLC V-NAND 内存之后，三星又推出了新的 1Tb quad-level cell (QLC) V-NAND 芯片。三星表示，新的 QLC 芯片将"满足人工智能时代的需求"，尤其是在企业固态硬盘市场。三星公司闪存产品与技术执行 IP SungHoi Hur 就该公司下一代 QLC V-NAND 内存芯片的推出发表了以下看法：

QLC 第 9 代 V-NAND 的成功量产仅比 TLC 版本晚四个月，这使我们能够提供满足人工智能时代需求的全系列先进固态硬盘解决方案。随着企业级固态硬盘市场的快速增长和人工智能应用需求的不断增长，我们将继续通过我们的 QLC 和 TLC 第 9 代 V-NAND 巩固我们在该细分市场的领导地位。

得益于三星的沟道孔蚀刻技术，第九代四级单元的密度比上一代 QLC V-NAND 芯片高出 86%。三星还优化了各层单元特性，使数据保留性能提高了约 20%。最后，由于采用了预测和控制存储单元状态的预测程序技术，芯片的输入/输出速度提高了约 60%。

至于功耗这一移动设备的关键特性，三星声称，由于采用了低功耗设计并降低了电压要求，读取和写入能耗分别降低了 30% 和 50%。

虽然最初的重点是企业市场，但三星还计划将第 9 代 QLC V-NAND 存储器芯片的应用扩展到消费类产品，如大容量固态硬盘和用于现代智能手机的 UFS（通用闪存）。

AI推动高带宽存储使用量年增超200%，三星预计2025年推出HBM4芯片｜硅基世界

三星电子研发的HBM3E产品展示（来源：钛媒体App编辑拍摄）

AI 正在加速高带宽存储技术的使用增长。

钛媒体App 8月9日消息， 据TrendForce集邦咨询8日发布的最新报告显示，随着AI芯片迭代，单一芯片搭载的HBM（高带宽内存）容量也明显增加，而英伟达（NVIDIA）目前是HBM市场的最大买家，预期2025年推出Blackwell Ultra、B200A等产品后，其在HBM市场的采购比重将突破70%。

报告还显示，在AI芯片与单芯片容量的增长推动下，对产业整体的HBM的消耗量（使用量）有显著提升，2024年预估年增率将超过200%，2025年HBM消耗量将再翻倍。而受到Blackwell平台全面搭载HBM3e、产品层数增加，以及单芯片HBM容量的上升，英伟达对HBM3e市场整体的消耗量将进一步推升至85%以上。

另据美国银行预测，HBM市场将持续增长，全球HBM销售额已经从2023年的16亿美元，预计到2027年，这一市场将增长至266亿美元，年均增长率为59%。

实际上，当前，AI 服务器最核心的三个要素——计算（算力）、网络（通讯）和存储都面临供需不均衡情况，需求增多，但供给和创新技术面临一定瓶颈，因此，加大网络通讯能力，以及为AI时代打造高容量、高性能和低功耗的存储解决方案变得至关重要。

三星电子副总裁、先行开发团队负责人张实完（Silwan Chang）

8月8日在北京举行的2024开放计算中国峰会（OCP China day 2024）上，三星电子副总裁、先行开发团队负责人张实完（Silwan Chang）透露，该公司正在进行客户测试的HBM3E内存产品，预计其速度可高达9.8Gbps，带宽不低于1TB/s，而下一代HBM4产品预计会在2025年推出。

其中， HBM3E12H 适用于生成式 AI 服务器领域。相较于HBM3，HBM3E12H最高容量提升50%、性能提升50%、能效提高12%。

除了HBM之外，张实完指出，三星于今年初开始量产128TB SSD，而三星的目标是向市场提供基于TLC和QLC NAND技术的各种规格的高容量产品，以满足AI应用对存储容量不断增长的需求。

具体产品性能层面，三星即将推出新一代PCIe Gen5 SSD PM1753，以满足AI训练和推理性能。与上一代产品相比，新款顺序写入性能提升1.6倍，随机读写速度分别提升1.3和1.7倍，闲置功耗降至4W。以基于TLC技术的 PM1753为例，其AI工作负载下的顺序写入能效比上一代相比提高1.7倍，在传统服务器中的随机I/O操作的能效也提高了1.6倍。张实完称，PM1753有望成为生成式AI服务器应用所需的出色解决方案。

当前，随着 AI 服务器对于存储的需求增加，整个DRAM、NAND Flash、HBM等存储芯片市场开始企稳，三星电子业绩也出现回暖。

7月31日公布的三星电子2024年第二季度财报显示，营收增长23.4%，至74.06万亿韩元；净利润增长超过600%至9.64万亿韩元(69.6亿美元)，创下2010年以来最快的净利润增速。而其中，二季度半导体业务的销售额28.56万亿韩元，预期27.49万亿；营业利润6.45万亿韩元，预期5.06万亿韩元。这是自2023年第一季度以来连续5个季度亏损后，三星半导体业务首次实现季度营业利润。

三星电子表示，这一强劲表现得益于对存储芯片的强劲需求，包括用于 AI 服务器和固态硬盘（SSD）的存储芯片。“HBM、DDR5等以服务器为中心的产品销售扩大，同时公司积极应对生成式AI服务器用高附加值产品的需求，使得业绩较上季度大幅改善。”三星电子预计，2024下半年HBM、DDR5和SSD的内存需求将保持强劲，公司将扩大产能以提高HBM3E销售比例。

里昂证券(CLSA)分析认为，数据中心和 AI 开发需求推动内存芯片的平均价格较上一季度上涨了15%，这帮助三星最大的部门扭转了上年同期亏损。美银预计，三星2025年的HBM3e销售预计达24亿美元，占HBM总销售额的34%。

（本文首发于钛媒体App，作者｜林志佳，编辑｜胡润峰）

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